Компании IBM, Chartered, Infineon и Samsung объявили о готовности производственного процесса и проектных норм для 45-нанометровых кремниевых чипов с низким энергопотреблением. Уже к концу 2007 года планируется развернуть их массовое производство на фабриках Chartered, IBM и Samsung.

Первые работающие чипы, изготовленные по 45-нм нормам, будут использоваться в системах связи следующего поколения. Их выпуск будет осуществляться на 300-мм производственной линии IBM в городе Ист-Фишкил, штат Нью-Йорк. Среди блоков, которые успешно прошли тестирование, были узлы для библиотеки стандартных компонентов и элементы ввода-вывода разработки Infineon, а также встроенная память, разработанная специалистами альянса.

"Полученные результаты – это еще один важный рубеж в нашей успешной стратегии создания оптимальных решений путем максимально раннего использования самых передовых технологических платформ, – говорит Герман Эул (Hermann Eul), член правления и президент подразделения Communication Solutions компании Infineon Technologies. – Первые 45-нм структуры являются примером самой передовой технологии, сочетающей высокую производительность и низкое энергопотребление". По его словам это решение должно будет удовлетворить потребности следующего поколения мобильных устройств.

Компании не только представили первые реализованные микросхемы, но и объявили о готовности наборов средств их проектирования для разработчиков. В этих наборах воплощен опыт проектирования, накопленный специалистами всех четырех компаний. Они предназначены для упрощения перехода проектировщиков специализированных чипов к новому технологическому процессу, а также для стимулирования производства единой конструкции на нескольких производственных предприятиях с целью эффективного использования проектных наработок и обеспечения максимальной полезности для потребителей, говорится в пресс-релизе.

Первые результаты работы чипов показали, что производительность 45-нм узлового устройства, по меньшей мере, на 30% выше, чем у 65-нм узла. "Дополнительным преимуществом для заказчиков является гибкость доступа к этой технологии благодаря поддержке формата GDSII всеми производственными предприятиями", отмечает Лиза Су (Lisa Su), вице-президент научно-исследовательского центра IBM по полупроводниковым технологиям и руководитель совместной группы разработчиков альянса.

Первую работающую микросхему, выполненную по 45-нм технологическому процессу, еще в январе 2006 года продемонстрировала компания Intel. Микросхема статической памяти содержала более 1 миллиарда транзисторов, а ток утечки в ней был снижен более чем в пять раз по отношению к 65-нм микросхемам. Массовое производство устройств также было намечено на 2007 год.

Интересные материалы:

• ЭОС выпустила новую версию СЭД
• В Windows обнаружена критическая уязвимость
• "Битрикс" и "Консультанты ТАГО" стали партнерами
• Samsung представил портативный Bluetooth-плеер
• Спутники GPS будут предсказывать погоду

все новости