Компании Toshiba и SanDisk объявили о начале строительства в Японии завода Fab 4 по выпуску 300-миллиметровых подложек для NAND-памяти. Инвестиции в новое производство с 2006 по 2008 годы составят свыше $2,5 млрд.

Рынок флэш-памяти NAND стремительно растет, находя применение в широком спектре электронных устройств, включая МР3-плееры, мобильные телефоны и карты памяти. Летом 2005 года Toshiba и SanDisk ввели в эксплуатацию современный завод Fab 3, на котором также выпускаются 300-миллиметровые подложки.

Что касается нового производства, то Toshiba будет финансировать строительство здания завода, а Flash Alliance, совместное предприятие Toshiba и SanDisk, для которого строится Fab 4, будет финансировать поставку современного оборудования.

Введение в эксплуатацию Fab 4 ожидается в четвертом квартале 2007 года с начальной производительностью 2500 подложек в месяц. К четвертому кварталу 2008 года планируется увеличить производительность почти в 30 раз. На Fab 4 компании намерены использовать современную 56-нанометровую технологию изготовления, а в дальнейшем перейти на более сложные технологии.

С целью минимизации воздействия на производство различных природных явлений, на Fab 4 будет применена новейшая конструкция, поглощающая воздействия землетрясения примерно на 60%.

Интересные материалы:

• EA поглотила музыкальное коммюнити
• "РТКомм" и "Уралсвязьинформ" подключат к интернету более 5 тыс. школ Урала
• Pixsy открыла поисковую систему знаменитостей
• Realore выпустила игру "Тайны атлантиды"
• Gearbox сделает "Чужих" для SEGA

все новости