|
Компания Toshiba объявила о выпуске новых модулей флэш-памяти NAND-типа с самой высокой плотностью записи, емкостью 16 Гбит (2 ГБ) и 8 Гбит (1 ГБ), изготовленных с применением 56-нм техпроцесса, технология которого была разработана в сотрудничестве с компанией SanDisk Corporation. На сегодняшний день данная емкость является рекордной для флэш-памяти данного типа.
При производстве чипов используется технология многоуровневого расположения запоминающих ячеек MLC (multi-level cell), которая позволяет существенно увеличить емкость чипа, при сохранении его размеров. Начало поставок 16-гигабитных чипов ожидается к концу первого квартала этого года.
Увеличение плотности записи также стало возможным благодаря увеличению скорости записи до 80 Мбит/с, что вдвое больше, чем скорость записи предыдущих продуктов корпорации Toshiba, использующих многоуровневое расположение запоминающих ячеек.
Интересные материалы: все новости
 |
![Мы [В]КОНТАКТЕ](http://www.maxhost.ru/i/vkb.jpg "Мы [В]КОНТАКТЕ")
