В Северо-Западном университете США разработана установка, позволяющая производить в наномасштабе 55 тыс. структур на молекулярном уровне с одинаковым шаблоном одновременно.

С момента изобретения сканирующего туннельного микроскопа в 1981 году, ученые пытались разработать технологию, позволяющую производить атомарно упорядоченные наноструктуры в больших количествах.

Двадцать пять лет ученые не могли сделать коммерчески пригодными различные методы, позволяющие создавать наноструктуры с атомарной точностью. А ведь молекулярная сборка и упорядочивание – одна из главнейших задач наноэлектроники. Без этого трудно представить ее дальнейшее развитие, так как закон Мура через 10-20 лет уже не сможет выполняться без перехода на атомарный уровень при исполнении логических элементов.

Фундамент для будущего массового применения наносистем заложили исследователи из Северо-Западного университета США, которые разработали установку, позволяющую производить в наноразмерном диапазоне одновременно до 55 тыс. наноструктур с атомарной точностью и одинаковым молекулярным шаблоном на поверхности.

Установка использует широко известную технологию нанолитографии глубокого пера (Dip-Pen Nanolithography - DPN), которая и позволяет делать «массовые» оттиски, как если бы наносистемы печатались на типографском станке.

В обычной DPN нанолитографии зонд микроскопа покрыт жидкими чернилами, которые при контакте пера атомно-силового микроскопа с поверхностью образуют заданные наноструктуры.

Но для типографких технологий одного пера будет недостаточно, поэтому ученые скомбинировали около тысячи независимо управляемых перьев. Благодаря такому подходу, нанолитография глубокого пера стала универсальным инструментом для производства полупроводниковых компонентов со сложной структурой.

Интересные материалы:
• Мадонну сняли в Москве: видео в продаже
• Американские венчурные капиталисты инвестировали в UUSee
• Фото: на конференции взорвался ноутбук
• "АрменТел" лишится права на международный выход в интернет
• Canon займется акустикой

все новости