Новый модуль состоит из 2-гигабитных контейнеров памяти DRAM. Общая емкость платы составляет 4 ГБ. Каждый контейнер DRAM в свою очередь состоит из четырех чипов памяти емкостью 512 мегабит, уложенных вместе и представляющих собой единый блок под названием WSP (wafer-level-processed stacked package).

В плате на основе технологии TSV для передачи электрических импульсов используются крошечные отверстия в кремнии, высверленные лазером и заполненные медью. В то время как на традиционных платах памяти используются широкие металлические дорожки, что заставляет изготавливать модули с большими размерами.

По словам представителей компании, инновационная технология укладки чипов на основе TSV может быть использована не только для создания более компактных и емких модулей памяти, спрос на которые растет с каждым днем, но и для конструирования одночиповых компьютерных систем.

Интересные материалы:

• Epson восстановила уникальные кадры из русской истории
• Выручка от продаж плазменных ТВ снизилась на 16%
• ВолгГТУ модернизировал ERP-систему
• Толщина ЖК-дисплея достигла 1 мм
• В играх Valve будет реклама

все новости