|
Заявление о разработке этой технологии было сделано 13 декабря на сессии 27.2 2006 года на Международной Конференции по электронным приборам (IEDM) в г. Сан-Франциско, Калифорния.
Ключевыми компонентами новой платформы является полностью обновленная схема транзистора и гибридная структура с пленкой, обладающей малой диэлектрической постоянной (low-k), которая гарантирует высокую производительность и надежность.
В процессе создания транзисторов на кристалле была применена технология деформации, которая использует локальные искривления кристаллической решетки в ключевых узлах для увеличения производительности. Путем оптимизации местных деформаций кристаллической решетки удалось на 30% повысить производительность по сравнению с существующей технологией производства транзисторов.
Применение пленки с низкой проводимостью в промежуточном слое металла чипа на обратной стороне позволило снизить паразитические сопротивления и улучшить характеристики электрической цепи. Пленка с изолирующим слоем затвора обладает 15-летним сроком службы, что превосходит нынешние показатели высокоэффективных систем для производства БИС.
Длительное тестирование платформы показало, что характеристики слоя удовлетворяют показателям долговечности более чем на 98%, что подтверждает достаточную надежность технологии, необходимой для массового производства.
Применение иммерсионной литографии со сверхвысокой (более 1) числовой апертурой (NA) для формирования узлов транзистора позволяет получить ячейку площадью 0,248 мкм
2 для памяти сверхвысокой плотности (UHD-SRAM).
Три компании одновременно разрабатывают две платформы для создания БИС на основе норм 45нм процесса – современную платформу, которая идеальна для высокоэффективных БИС, а также платформу для использования в соответствии с требованиями низкого энергопотребления, которые, как ожидается, будут завершены вначале 2007 года.
Интересные материалы: все новости
 |
![Мы [В]КОНТАКТЕ](http://www.maxhost.ru/i/vkb.jpg "Мы [В]КОНТАКТЕ")
