Источник жесткого ультрафиолетового излучения, разработанный в университете центральной Флориды, в 30 раз превышает по мощности аналогичные разработки других групп. Его применение позволит создать технологию производства микросхем методом фотолитографии с более высоким, чем прежде, разрешением, что позволит в несколько раз уменьшить размер элементов чипов, что повысит их быстродействие и снизит энергопотребление.

Новый источник монохроматического ультрафиолета обеспечивает излучение с длиной волны 15,5 нм, что, по мнению разработчиков, позволит выйти на технологический уровень 12 нанометров в серийном производстве микросхем. В настоящее время промышленность вышла только на 65 нм технологию.

Более подробная информация о новой разработке будет представлена в разделе R&D.CNews.

В портфель Обсудить Распечатать Переслать новость

Интересные материалы:
• Поздравляем с 8 марта
• Лазерная ПВО США: проведены первые испытания
• Оптико-электронный узел "Нурек" передан России
• Квартальная прибыль "Комстар-ОТС" выросла на 39%
• Intel создал новую платформу для ноутбуков

все новости